SiC是以共介健為主的共價(jià)化合物，由于碳與硅兩元素在形成SiC晶體時(shí)，SiC原子中S→P電子的遷移導(dǎo)致能量穩(wěn)定的SP3雜化排列，從而形成具有金剛石結(jié)構(gòu)的SiC。因此它的基本單元是四面體。所有SiC均由SiC四面體堆積而成，所不同的只是平行結(jié)合或反平行結(jié)合。

　　SiC有75種變體，如 α -SiC、 β -SiC、3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等，所有這些結(jié)構(gòu)可分為立方晶系、六方晶系和菱形晶系。其中 α -SiC、 β -SiC最為常見。 α -SiC是高溫穩(wěn)定型， β -SiC是低溫穩(wěn)定型。 β -SiC在2100~2400℃可轉(zhuǎn)變?yōu)?α -SiC， β -SiC可在1450℃左右溫度下由簡單的硅和碳混合物制得。利用透射電子顯微鏡和X-射線衍射技術(shù)可對(duì)SiC顯微體進(jìn)行多型體分析和定量測(cè)定

　　SiC陶瓷在許多工業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用顯示了優(yōu)良的性能，因而引起了人們的普遍重視。在無機(jī)非金屬材料領(lǐng)域中SiC陶瓷是一個(gè)很大的家族，其觸角幾乎伸遍了所有的工業(yè)領(lǐng)域。但是由于SiC陶瓷的難燒結(jié)性，因而它的制作工藝和生產(chǎn)都較昂貴，降低SiC陶瓷的燒成溫度和尋找新的廉價(jià)的生產(chǎn)工藝仍是材料工作者的研究重點(diǎn)。同時(shí)挖掘和開發(fā)SiC陶瓷（粉末）的所有優(yōu)點(diǎn)造福于人類也是我們工作的重點(diǎn)。SiC陶瓷有它廣闊的發(fā)展和應(yīng)用前景。