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SiC粉末的合成

發(fā)布:2008-11-26 10:29:19  來源: 科技在線 [字體: ]

 。樱椋迷诘厍蛏蠋缀醪淮嬖,僅在隕石中有所發(fā)現(xiàn),因此,工業(yè)上應(yīng)用的SiC粉末都為人工合成。目前,合成SiC粉末的主要方法有:
1、Acheson法:
   

  這是工業(yè)上采用最多的合成方法,即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至2500℃左右高溫反應(yīng)制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質(zhì),在制成的SiC中都固溶有少量雜質(zhì)。其中,雜質(zhì)少的呈綠色,雜質(zhì)多的呈黑色。
2、化合法:
   

  在一定的溫度下,使高純的硅與碳黑直接發(fā)生反應(yīng)。由此可合成高純度的β-SiC粉末。
3、熱分解法:
   

  使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機(jī)硅聚合物在1200~1500℃的溫度范圍內(nèi)發(fā)生分解反應(yīng),由此制得亞微米級的β-SiC粉末。
4、氣相反相法:
   

  使SiCl4和SiH4等含硅的氣體以及CH4、C3H8、C7H8和(Cl4等含碳的氣體或使CH3SiCl3、(CH3)2 SiCl2和Si(CH3)4等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發(fā)生反應(yīng),由此制備納米級的β-SiC超細(xì)粉。

 

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